K4B4G0846R-BFMAT3V

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G0846R-BFMAT3V
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3L

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G0846R-BFMAT3V 50,000 21+ 索取报价
K4B4G0846R-BFMAT3V 50,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT41K512M8DA-107 V:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107/T:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107: P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:N FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 20K FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P 28,000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:P TR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K512M8DA-107:PTF FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C TO +85 C
MT41K512M8DA-107:PTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C