K4B4G1646D-BYMA1.0

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G1646D-BYMA1.0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646D-BYMA1.0 21,000 2021+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EM6GE16EWAKG-10H FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63AFR-RDA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63AFR-RDCR FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63CFR-RDA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63CFR-RDC T R FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63CFR-RDCR FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63EFR-RDA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63EFR-RDA/PBA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63EFR-RDC D3 256X FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ4G63M/AFR-RDCR FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+85 C