K4E160812C-FC60

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E160812C-FC60
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 2MX8 EDO

产品详情

脚位/封装 TSOP-28
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 60 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E160812C-FC60 4,000 索取报价
K4E160812C-FC60 2,258 2005+ 索取报价
K4E160812C-FC60 8,336 2005+ 索取报价
K4E160812C-FC60 12,000 索取报价
K4E160812C-FC60 10,000 2003+ 索取报价
K4E160812C-FC60 20,000 2003+ 索取报价
K4E160812C-FC60 17,630 2003+ 索取报价
K4E160812C-FC60 6,988 2003+ 索取报价
K4E160812C-FC60 9,800 2003+ 索取报价
K4E160812C-FC60 5,560 03+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E160812D-FC50/60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FL60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170812D-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C