K4E641612D-TC1L

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号	K4E641612D-TC1L
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DRAM
IC代码	4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装	TSOP2(50)
外包装
无铅/环保	含铅
电压(伏)	5.0 V
温度规格	0 C~+85 C
速度
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4E641612D-TC1L	40,000	00+	索取报价