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| 制造商IC编号 | K4F8E3S4HD-GUCLT1V |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代码 | 256MX32 LPDDR4 |
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -40 C~+125 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H54G36AYRPX246 | 1.1 V | -40 C~+125 C |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HD-GUCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |
| MT53D256M32D2DS-046 AUT:B | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |
| MT53E256M32D2DS-046AUT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |
| MT53E256M32D2FW-046 AUT:B | TFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |
| MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR | TFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+125 C |