K4F8E3S4HD-GUCLT1V

产品概述

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图片仅供参考

制造商IC编号 K4F8E3S4HD-GUCLT1V
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 LPDDR4 MOBILE
IC代码 256MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -40 C~+125 C
速度 4266 MBPS
标准包装数量
标准外箱

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4F8E3S4HD-GUCLT1V 10,000 索取报价
K4F8E3S4HD-GUCLT1V 0 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H54G36AYRPX246 1.1 V -40 C~+125 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4F8E3S4HD-GUCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C
MT53D256M32D2DS-046 AUT:B WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C
MT53E256M32D2DS-046AUT:B VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C
MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C
MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR TFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+125 C