K4H281638E-TCCC

产品概述

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制造商IC编号 K4H281638E-TCCC
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 8MX16 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 200 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4H281638E-TCCC 10,000 2009+ 索取报价
K4H281638E-TCCC 10,000 索取报价
K4H281638E-TCCC 12,000 索取报价
K4H281638E-TCCC 6,000 索取报价
K4H281638E-TCCC 6,988 2003+ 索取报价
K4H281638E-TCCC 20,000 2003+ 索取报价
K4H281638E-TCCC 5,580 03+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IC43R16800-5T TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IC43R16800-5TG TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800A-5TL TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800A-5TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800C-5TL TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800C-5TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800CC-5TL TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800CC-5TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800E-5TL TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800E-5TL 128M DRA TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C