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制造商IC编号 | K4H511638B-GC/LB0 FBGA60 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR1 SDRAM |
IC代码 | 32MX16 DDR1 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 133 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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MT46V32M16BN-75 ES:C | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75 IT:C | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75 L:C | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75:C | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75:E/-6:F | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75E | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75ITC | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-75Z | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16FN-5B/6/75/75E | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16FN-75 | FBGA-60 | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |