K4H511638BTCBO

产品概述

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制造商IC编号 K4H511638BTCBO
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 166 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4H511638BTCBO 4,000 索取报价
K4H511638BTCBO 20 1993 索取报价
K4H511638BTCBO 2,210 2006+ 索取报价
K4H511638BTCBO 2,000 2005 索取报价
K4H511638BTCBO 20 索取报价
K4H511638BTCBO 2,000 2003+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS43R16320A-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320B-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320D-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320D-6TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320E-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320E-6TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320F-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320F-6TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320F-6TL/7TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638-B-TCBD TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C