K4H511638J-LPCC

产品概述

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制造商IC编号 K4H511638J-LPCC
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 200 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 11th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4H511638J-LPCC 2,000 2010+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EDD5116ADTA-5CLI-E TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116AGTA5BETSOPII66TRAY TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622BTP-D43DR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622BTPD43 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622C(L)TP-D43-C TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622C(L)TP-D43I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622CTP-D43HYNIX TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622DLTP-D43I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622DLTP-D43I-C TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
HY5DU121622DTP-D43I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C