K4H560438E-GCB0

产品概述

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制造商IC编号 K4H560438E-GCB0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 64MX4 DDR1

产品详情

脚位/封装 FBGA
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x4
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4H560438E-GCB0 1,547 2007+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4H560438D-GCB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438D-GLB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438E-GLB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438E-VCB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438E-VLB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438E-ZCB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H560438E-ZLB0 FBGA 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C