K4S563233F-HC75

产品概述

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制造商IC编号 K4S563233F-HC75
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 SDRAM
IC代码 8MX32 SD

产品详情

脚位/封装 FBGA
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 7th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4S563233F-HC75 2,541 2007+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4S563233F-FC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-FF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-FL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HCLF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233FHL750 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-FC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-FL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-HC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C