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| 制造商IC编号 | K4T1G084QG-BCE6 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR2 SDRAM |
| IC代码 | 128MX8 DDR2 |
| 共通IC编号 | K4T1G084QG-BCE6000 |
| K4T1G084QG-BCE6T00 | |
| K4T1G084QG-BCE6TCV |
| 脚位/封装 | FBGA-60 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 667 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 8th Generation |
| IC 编号 | 数量 | 单价 (USD) | 生产年份 | 附记 | |
|---|---|---|---|---|---|
| K4T1G084QG-BCE6000 | 46 | 1449 | AB库存 | 索取报价 |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T1G084QG-BCE6000 | 0 | 索取报价 | |
| K4T1G084QG-BCE6000 | 5,351 | 14+ | 索取报价 |
| K4T1G084QG-BCE6 | 4,000 | 索取报价 | |
| K4T1G084QG-BCE6TCV | 50,000 | 15/16+ | 索取报价 |
| K4T1G084QG-BCE6 | 2,560 | 15+ | 索取报价 |
| K4T1G084QG-BCE6 | 10,000 | 索取报价 | |
| K4T1G084QG-BCE6000 | 5,030 | 索取报价 | |
| K4T1G084QG-BCE6 | 15,000 | 14+ | 索取报价 |
| K4T1G084QG-BCE6000 | 20,000 | 索取报价 | |
| K4T1G084QG-BCE6 | 5,000 | DC14+ | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| HY5PS1G831AFP-Y5-A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831AFPY5 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831CFP-Y5 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831CFP-Y5-C | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831CFP-Y5/-S6 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831CFP-Y5DR-C | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS1G831CFR-Y5-C | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18TC1G800BF-3S | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18TC1G800C2F-3S | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280A-3DBL | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |