K4T1G164QJ-BCE7
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4T1G164QJ-BCE7 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR2 SDRAM |
| IC代码 | 64MX16 DDR2 |
| 共通IC编号 | K4T1G164QJ-BCE7000 |
| K4T1G164QJ-BCE70CV | |
| K4T1G164QJ-BCE7T | |
| K4T1G164QJ-BCE7T00 | |
| K4T1G164QJ-BCE7TCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 标准包装数量 | 1280 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 11th Generation |
| Power | Normal Power |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T1G164QJ-BCE7 | 50,000 | 2137+ | 索取报价 |
| K4T1G164QJ-BCE7 | 20,480 | 索取报价 | |
| K4T1G164QJ-BCE7000 | 20,480 | 22+ | 索取报价 |
| K4T1G164QJ-BCE7000 | 10,240 | DC21+22+ | 索取报价 |
| K4T1G164QJ-BCE7 | 0 | 索取报价 | |
| K4T1G164QJ-BCE7TCV | 8,155 | 索取报价 | |
| K4T1G164QJ-BCE7000 | 10,240 | 21+/22+ | 索取报价 |
| K4T1G164QJ-BCE7 | 10,000 | 索取报价 | |
| K4T1G164QJ-BCE7 | 5,120 | 索取报价 | |
| K4T1G164QJ-BCE7 | 10,240 | 21+ | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| IS46DR16640B-3DBLA2 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4T1G164QJ-BCE70AC | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H5PS1G63KFR-S5C/S5C | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| H5PS1G63KFR-S5C/S6C | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| H5PS1G63KFR-S6C | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| HXB18T1G160AF-25D | TFBGA-84 | 1.8V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |