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制造商IC编号 | K4T51083QE-ZCD5 0749-0840 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR2 SDRAM |
IC代码 | 64MX8 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.8 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 533 MBPS |
标准包装数量 | 1280 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K4T51083QE-ZCD5 0749-0840 | 3,811 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
HY5PS12821PF-C4 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800AC-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800AF-37 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800AFL-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800ALF-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800AT-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800B2F-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800B2FL-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800B2FL-3S OR 3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800BC-3.7 | FBGA-60 | 1.8 V | 533 MBPS | 0 C~+85 C |