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| 制造商IC编号 | K4T51083QG-HCF8 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR2 SDRAM |
| IC代码 | 64MX8 DDR2 |
| 脚位/封装 | FBGA-60 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1066 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 8th Generation |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| HXB18T512800BF(L)-19F | FBGA-60 | 1.8V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T51083QI-HCF8 | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8CF-187E ES:G | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8CF-187E ES:H | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8CF-187E:G | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8CF-187E:H | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8SH-187E ES:H | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H64M8SH-187E:H | FBGA-60 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |