K4T51083QJ-BCE6

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号	K4T51083QJ-BCE6
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR2 SDRAM
IC代码	64MX8 DDR2
共通IC编号	K4T51083QJ-BCE6000
	K4T51083QJ-BCE6T
	K4T51083QJ-BCE6T00

产品详情

脚位/封装	FBGA-60
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.8 V
温度规格	0 C~+85 C
速度	667 MBPS
标准包装数量	1280
标准外箱
Number Of Words	64M
Bit Organization	x8
Density	512M
Internal Banks	4 Banks
Generation	11th Generation
Power	Normal Power

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4T51083QJ-BCE6	6,500		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	12,500		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	100		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	185		索取报价
K4T51083QJ-BCE6000	0		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	314		索取报价
K4T51083QJ-BCE6000	37	1322	索取报价
K4T51083QJ-BCE6	10,000		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	0		索取报价
K4T51083QJ-BCE6	32,000		索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
HYB18T512800B2F-3	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2FL-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF-3	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800CF-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800TC-3	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800TCL-3	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800TF-3	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C