K4T51163QI-HIE7

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4T51163QI-HIE7
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR2
共通IC编号 K4T51163QI-HIE7000

产品详情

脚位/封装 FBGA-84
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 800 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 10th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T51163QI-HIE7000 15 1025 索取报价
K4T51163QI-HIE7 28,069 11+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4T51163QN-BIE7000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QN-BIE70CV FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QN-BIE70EC FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QN-BIE7T00 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QN-BIE7TCV FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QQ-BPE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QQ-BPE70CV FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
M14D5121632A-2.5BG2H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C