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| 制造商IC编号 | K4T51163QQ-BCE6 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR2 SDRAM |
| IC代码 | 32MX16 DDR2 |
| 共通IC编号 | K4T51163QQ-BCE6000 |
| K4T51163QQ-BCE60000 | |
| K4T51163QQ-BCE6T00 | |
| K4T51163QQ-BCE6T000 | |
| K4T51163QQ-BCE6TCV |
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 667 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 17th Generation |
| IC 编号 | 数量 | 单价 (USD) | 生产年份 | 附记 | |
|---|---|---|---|---|---|
| K4T51163QQ-BCE6000 | 200 | 1404 | AB库存 | 索取报价 |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T51163QQ-BCE6 | 447 | 1431+ | 索取报价 |
| K4T51163QQ-BCE6T00 | 0 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6000 | 8,519 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6 | 4,000 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6000 | 200 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6 | 3,000 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6 | 10,240 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6 | 5,120 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6 | 10,000 | 索取报价 | |
| K4T51163QQ-BCE6T00 | 18,000 | 16+ | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| EM68B16CWPA-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| EM68B16CWPA-3H 512MB DDR2 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| EM68B16CWQC-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621AF-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621AF-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621AFP-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621AFP-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621BEP-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621BFP-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS121621BFP-Y5-C | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |