K4T56163QI-ZCE7

产品概述

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制造商IC编号 K4T56163QI-ZCE7
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 16MX16 DDR2

产品详情

脚位/封装 FBGA-84
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 800 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 10th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T56163QI-ZCE7 1,280 0949+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 4,000 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 2,000 2010+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 14,080 2010+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 2,240 10+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 1,238 07+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 2,574 2007+ 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 100,000+ 2011 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 3,354 索取报价
K4T56163QI-ZCE7 14,080 2009+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EM68A16CBQC-25H FBGA-84 1.7V~1.9V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AC-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-28 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF-5A FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160AF50 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160BF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T256160BF-25F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C