图片仅供参考
制造商IC编号 | K4U6E3S4AA-MGCL |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | LPDDR4X SDRAM |
IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
共通IC编号 | K4U6E3S4AA-MGCL000 |
K4U6E3S4AA-MGCLT00 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.1 V |
温度规格 | -25 C~+85 C |
速度 | 4266 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4U6E3S4AA-MGCL | 10,240 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL | 20,480 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL | 11,200 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL000 | 0 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL | 12,800 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL | 10,240 | 23+ | 索取报价 |
K4U6E3S4AA-MGCL | 8,000 | 索取报价 | |
K4U6E3S4AA-MGCL | 6,400 | 23+ | 索取报价 |
K4U6E3S4AA-MGCL | 12,800 | 23+ | 索取报价 |
K4U6E3S4AA-MGCL | 5,120 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT53E512M32D2NP-046 WT:E | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -30 C~+85 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4F6E3S4HB-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-AGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ0CL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-SGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCL ARE AVL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCR | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCR0UT | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |