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制造商IC编号 | K9F1G08U0B-GCB0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 128MX8 NAND SLC |
脚位/封装 | FBGA-63 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.7V~3.6V |
温度规格 | 0 C~+70 C |
速度 | 25 NS |
标准包装数量 | 960 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 128M |
Bit Organization | x8 |
Density | 1G |
Generation | 3rd Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K9F1G08U0B-GCB0 | 29,811 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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MT29F1G08ABADAH4D | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABADAH4DTRAY | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABADAH4ES:D | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4 | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4:E TR | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4:E TRAY | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAEAH4ES:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
MT29F1G08ABAHC | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |