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| 制造商IC编号 | K9F2G08R0AW0000 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 256MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | WAFER |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.65V~1.95V |
| 温度规格 | NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) |
| 速度 | 25 NS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 2nd Generation |
| Mode | Normal |
| Classification | SLC Normal |
| Cust Bad Block | NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9F2G08R0AW0000 | 2,573 | 2006+ | 索取报价 |