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制造商IC编号 | K9F4G08U0A-YCB0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 512MX8 NAND SLC |
脚位/封装 | TSOP-48 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.7V-3.6V |
温度规格 | 0 C~+70 C |
速度 | 25 NS |
标准包装数量 | 960 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Generation | 2nd Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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TH58NVG2S3BTG00DBH | TSOP-48 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
TH58NVG2S3BTG00UAH | TSOP-48 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
TH58NVG2S3HTA00 | TSOP-48 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
TH58NVG2S3HTA00 TRAY | TSOP-48 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |
TH58NVG2S3HTA00B4 | TSOP-48 | 3.3 V | 25 NS | 0 C~+70 C |