K9K1208UOCDIBO512M
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K9K1208UOCDIBO512M |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 64MX8 NAND SLC |
产品详情
| 脚位/封装 | TBGA-63 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 2.7V-3.6V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 42 NS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 512M |
| Pre Prog Version | Serial |
| Generation | 4th Generation |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K9F1208DOB-DIBO | TBGA-63 | 2.4V~2.9V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208DOCDIBO | TBGA-63 | 2.4V~2.9V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208U0ADIB | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208U0ADIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208U0B-DIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208U0B-DIBO | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208U0C-DIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208UOB-DIBO | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9F1208UOC-DIBO | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 42 NS | -40 C~+85 C |
| K9K1208B0C-DIB0 | TBGA-63 | 3.3 V | 42 NS | -40 C~+85 C |