K9K1G08R0BJIB0

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K9K1G08R0BJIB0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 128MX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 FBGA-63
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 25 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Generation 3rd Generation
Pre Prog Version None
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block
Mode Normal

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K9K1G08R0BJIB0 4,000 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 220 06+ 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 12,500 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 1,839 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 1,839 06+ 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 535 2007+ 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 9,053 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 534 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 8,900 06+ 索取报价
K9K1G08R0BJIB0 8,900 2006+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H27S1G8F2BFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BI NBSP FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BIR FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFE-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
IS35MW01G084-BLA1 VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-/B-JIB FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-JIB0000 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIB0 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIBO FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C