图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K9K2G08U1MFIB0 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 256MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | WSOP (Lead-Free) |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 2.7V-3.6V |
| 温度规格 | -45 C~+85 C |
| 速度 | |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9K2G08U1MFIB0 | 4,000 | 索取报价 |