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制造商IC编号 | K9K8G08U1BKIBO |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 1GX8 NAND SLC |
脚位/封装 | ULGA-52 |
外包装 | |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.7V-3.6V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 25 NS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 1G |
Bit Organization | x8 |
Density | 8G |
Generation | 3rd Generation |
Pre Prog Version | Serial |
Classification | SLC DDP |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K9K8G08U1BKIBO | 5,500 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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K9K8G08U1M-IIB0T | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9K8G08U1M-IIBO | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9K8G08U1MIIB0 | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9K8G08UIA-IIBO | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9K8G08UOA-IIB0 | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9K8G08UOA-IIBO | ULGA-52 | 2.7V-3.6V | 25 NS | -40 C~+85 C |