NAND512W3A0BN6
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | NAND512W3A0BN6 |
| 厂牌 | MICRON/美光 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 64MX8 NAND SLC |
| 共通IC编号 | NAND512W3A0BN6E |
产品详情
| 脚位/封装 | TSOP-48 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 2.7V~3.6V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 30 NS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 512M |
| Package | TSOP(48-pin) |
| Device Options | No options (CE care; sequential raw read enabled) |
| Product Version | B |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| HY27US08121A-TPIBDR | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| HY27US08121B-TPIBDR | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| HY27US08121BTP-IB | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| HY27US08121M-TPIB | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| HY27US081231B-TPIBDR | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| HY27US0812M-TPIB | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| NAND512W3A0AN6 | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| NAND512W3A0AN6E | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| NAND512W3A0AN6F | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
| NAND512W3A0AN6ST | TSOP-48 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |