TC58NYG2S0HBAI4

产品概述

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图片仅供参考

制造商IC编号 TC58NYG2S0HBAI4
厂牌 KIOXIA/鎧俠
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 512MX8 NAND SLC
共通IC编号 TC58NYG2S0HBAI4 TRAY

产品详情

脚位/封装 BGA-63
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 25 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 4KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 256KB

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
TC58NYG2S0HBAI4 3,150 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 100,000+ 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 1,480 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 21,000 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 TRAY 830 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 0 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 0 22+ 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 10,500 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 3,000 2021+ 索取报价
TC58NYG2S0HBAI4 1,050 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITD VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITDTR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITEES:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITES:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C