H5AN4G6NBJR-RDC

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H5AN4G6NBJR-RDC
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 DDR4 SDRAM
IC代碼 256MX16 DDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.2 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Operating Temperature commercial temperature(0°C ~ 85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 3rd
No Of Banks Non-TSV
Product Family DRAM
Shipping Method tray

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT40A256M16HA-107 ES:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16HA-107:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16HA-107E ES:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16HA-107E M ES:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16HA-107E M:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT40A256M16HA-107E:A FBGA-96 1.2 V 1866 MBPS 0 C~+85 C