H5TQ4G83EFR-TEI

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H5TQ4G83EFR-TEI
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 DDR3L SDRAM
IC代碼 512MX8 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 2133 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Operating Temperature industrial temperature(-40°C~85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H5TQ4G83EFR-TEI 53 索取報價
H5TQ4G83EFR-TEI 0 18 索取報價
H5TQ4G83EFR-TEI 1,272 18 索取報價
H5TQ4G83EFR-TEI 145 1845+ 索取報價
H5TQ4G83EFR-TEI 145 索取報價
H5TQ4G83EFR-TEI 1,192 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5TQ4G83CFR-TEI FBGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR85120A-093NBLI-TR FBGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB512M8DN-FL TR TFBGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C