H9HCNNNBKUMLHR-NMO

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNNBKUMLHR-NMO
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 1GX16 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -40 C~+105 C
速度 3733 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNNBKUMLHR-NMO 0 索取報價
H9HCNNNBKUMLHR-NMO 540 19+ 索取報價
H9HCNNNBKUMLHR-NMO 5,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H9HCNNNBKMMLHR-NMO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMEO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMER FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C