HY57V281620HCT6DR
產品詳情
| 脚位/封装 | TSOP2(54) |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 3.3 V |
| 溫度規格 | |
| 速度 | 166 MHz |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Interface | LVTTL |
| Die Generation | 4th Gen. |
| No Of Banks | 4 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| HY57V281620HCT6DR | 3,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 2,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 20,160 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 20,160 | 2005+ | 索取報價 |
| HY57V281620HCT6DR | 5,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 2,000 | 2003 | 索取報價 |
| HY57V281620HCT6DR | 10,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 6,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 12,000 | 索取報價 | |
| HY57V281620HCT6DR | 4,000 | 索取報價 |