| 脚位/封装 | TSOP2(54) |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 3.3 V |
| 溫度規格 | 0 ~ 70 C |
| 速度 | 166 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Density | 128M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Die Generation | 6th Gen. |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| HY57V28162ET6 | 11,520 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| EDS1216AGTA-6B | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EDS1216AGTA-6B-E | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EDS1216AHTA-6B-E | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EM639165TS-6G | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EM639165TS-6G NBSP | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EM639165TS-6G,8 16,TSOP5 | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EM639165TSC-6G | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| EM639165TSC-6G TR | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| HY57V28160AT-6 | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |
| HY57V28160HCT-6 | TSOP2(54) | 3.3 V | 166 MHZ | 0 C~+70 C |