圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4A4G085WE-BCRC000(HK).KR |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR4 SDRAM |
IC代碼 | 512MX8 DDR4 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.2V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2400 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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H5AN4G8NAFR-UHC | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NAFR-UHCR | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NBJR-UHC | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NBJR-UHC: | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NBJR-UHCR | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NMFR-UHC | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR85120A-083RBL | FBGA-78 | 1.2V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR85120A-083RBL-TR | FBGA-78 | 1.2V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR85120B-083RBL | FBGA-78 | 1.2V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G0852E-BCRC | FBGA-78 | 1.2V | 2400 MBPS | 0 C~+85 C |