圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4A4G085WE-BIRC |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX8 DDR4 |
| 共通IC編號 | K4A4G085WE-BIRC0CV |
| K4A4G085WE-BIRCT | |
| K4A4G085WE-BIRCTCT | |
| K4A4G085WE-BIRCTCV |
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 2400 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 6th Generation |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A512M8SA-062E IT:F | FBGA-78 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H5AN4G8NBJR-UHI | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| IS43QR85120A-083RBLI-TR | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083E IT:B | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083E IT:B TR | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083EAITB | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-083EITB | FBGA-78 | 1.2 V | 2400 MBPS | -40 C~+95 C |