K4A4G165WG-BIWE
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4A4G165WG-BIWE |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 256MX16 DDR4 |
| 共通IC編號 | K4A4G165WG-BIWE000 |
| K4A4G165WG-BIWET00 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 3200 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 8th Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A256M16GE-062E IT:B | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16GE-062E IT:B | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16GE-062E IT:B TR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E AIT:F | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E AIT:F TR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E IT:E | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E IT:F | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E IT:F | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A256M16LY-062E IT:F TR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5AD256M16E4-JRI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |