K4A8G165WC-BCTDOCV
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4A8G165WC-BCTDOCV |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX16 DDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 8Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 4th Generation |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4A8G165WC-BCTDOCV | 0 | 索取報價 |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H5AN8G6NAFR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-VKCTR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-VKIR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NDJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NJJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| HSAN8G6NCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| HSAN8GENCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| HSANAGBNCMR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |