K4B1G0846I-BMMA
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B1G0846I-BMMA |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3 SDRAM |
| IC代碼 | 128MX8 DDR3 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 10th Generation |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K128M8DA-107 AIT:J | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43TR81280CL-107MBA1 | FBGA-78 | 1.35 V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |