K4B1G1646E-HYF8

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B1G1646E-HYF8
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3 SDRAM
IC代碼 64MX16 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1066 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4B1G1646E-HYF8 28,540 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
EM6GC16EWXA-18H FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
HXB15H1G160CF-19F FBGA-96 1.5V 1066 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16640A-187FBL FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646C-CF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646C-ZCF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646D-HCF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646D-HLF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646D-HPF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646E-HCF8 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G1646E-HCF80 FBGA-96 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C