K4B2G1646Q-BYH9

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B2G1646Q-BYH9
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3L SDRAM
IC代碼 128MX16 DDR3L

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.35V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1333 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x16
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
IS43TR16128CL-15HBL-TR FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128CL-15HBLC FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16128DL-15HBL FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G1646E-BYH9 FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16HA-125:K FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16HA-15E FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16HA-15E ES:D FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16HA-15E:D FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16HA-15ED FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M16JT-15E ES:K FBGA-96 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C