K4B4G0846A-HCF8
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B4G0846A-HCF8 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX8 DDR3 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.5 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1066 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 2nd Generation |
| Power | Normal Power |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846A-HCF8 | 4,000 | 索取報價 |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| HXB15H4G800CF-19F | TFBGA-78 | 1.5V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-187E ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J512M8THD-187E:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |