圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B4G0846D-HCK0 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3 SDRAM |
IC代碼 | 512MX8 DDR3 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 1600 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 5th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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MT41J512M8THD-125 ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8THD-125:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1600 MBPS | 0 C~+85 C |