K4B4G0846Q-HYH90

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B4G0846Q-HYH90
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3 SDRAM
IC代碼 512MX8 DDR3L

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.35V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1333 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5TC4G83AFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83AFR-H9A 1.35V FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83AFR-H9C FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83BFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83BMR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83CMR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83MFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83MFR-H9A 1.35V FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83MFR-H9C FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HYH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C