圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B8G1646D-MMATCV |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3L SDRAM |
IC代碼 | 512MX16 DDR3L |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | TAPE ON REEL |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.35V |
溫度規格 | -40 C~+95 C |
速度 | 1866 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x16 |
Density | 8Gb |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 5th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4B8G1646D-MMATCV | 10,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
AS4C512M16D3LA-10BIN | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
AS4C512M16D3LA-10BINTR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512A-107MB | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512A-107MBA1 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512A-107MBI | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512AL-107MBA1 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512B-107MBA1 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512BL-107MBA1 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512BL-107MBLI-BM | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16512BL-107MBLI-TR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |