K4B8G1646E-MYMATCV

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B8G1646E-MYMATCV
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3L SDRAM
IC代碼 512MX16 DDR3L
共通IC編號 K4B8G1646E-MYMA0CV

產品詳情

脚位/封装 FBGA-96
外包裝 TAPE ON REEL
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.35 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 6th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4B8G1646E-MYMATCV 0 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5TC8G63CMR-RDA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512AL-107MB FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512AL-107MBL FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512AL-107MBL-TR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512AL-107MBLC FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512B-107MB FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512BL-107MB FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512BL-107MBL FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512BL-107MBL-TR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR16512S2DL-107MB FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C