K4E160412D-FL50

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E160412D-FL50
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 4MX4 EDO

產品詳情

脚位/封装 FBGA
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 50 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4E160412D-FL50 4,000 索取報價
K4E160412D-FL50 12,000 索取報價
K4E160412D-FL50 10,000 2003+ 索取報價
K4E160412D-FL50 20,000 2003+ 索取報價
K4E160412D-FL50 15,300 2003+ 索取報價
K4E160412D-FL50 6,988 2003+ 索取報價
K4E160412D-FL50 9,000 2003+ 索取報價
K4E160412D-FL50 10,860 03+ 索取報價
K4E160412D-FL50 5,000 2003+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4E160412C-BC50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-BC50000 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50000 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FL50 FBGA 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C