K4E160812D-BL50

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號	K4E160812D-BL50
廠牌	SAMSUNG/三星
IC 類別	DRAM
IC代碼	2MX8 EDO

產品詳情

脚位/封装	FBGA
外包裝
無鉛/環保	含鉛
電壓(伏)	3.3 V
溫度規格	0 C~+85 C
速度	50 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Power	Low Power
Generation	5th Generation

供應鏈有貨

IC 編號	數量	生產年份
K4E160812D-BL50	5,500		索取報價
K4E160812D-BL50	2,258	2005+	索取報價
K4E160812D-BL50	8,336	2005+	索取報價
K4E160812D-BL50	12,000		索取報價
K4E160812D-BL50	10,000	2003+	索取報價
K4E160812D-BL50	20,000	2003+	索取報價
K4E160812D-BL50	6,988	2003+	索取報價
K4E160812D-BL50	9,880	2003+	索取報價
K4E160812D-BL50	5,560	03+	索取報價
K4E160812D-BL50	5,000	2003+	索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號	脚位/封装	電壓(伏)	速度	溫度規格
K4E160812C-BC50	FBGA	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812C-BL50	FBGA	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812C-FL50	FBGA	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-FL50	FBGA	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C