K4E641612C-QL60

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E641612C-QL60
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 4MX16 EDO

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 5.0 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 60 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 4th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4E641612C-QL60 2,000 2000+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K.4E641612D-PCTC-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E6416120TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612BTC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C -GL60T00 #160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-CT-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-GL160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C