我們想購買:
| IC 編號 | 生產年份 | 數量 | |
|---|---|---|---|
| K4F4E164HD-THCL | 5,000 | 輸入報價 |
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4F4E164HD-THCL |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX32 LPDDR4 |
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.1 V |
| 溫度規格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F4E164HD-THCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KUCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KUCL01V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |